Samsung разрабатывает модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ со скоростью до 7,2 Гбит/с, массовое производство к концу 2021 года
![Samsung разрабатывает модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ со скоростью до 7,2 Гбит/с, массовое производство к концу 2021 года](https://sp-ao.shortpixel.ai/client/to_webp,q_glossy,ret_img,w_640,h_394/https://studiocreate.ru/wp-content/uploads/2021/08/samsung-ddr5-512-gb-7.2-gbps-memory-modules-_-hotchips-33-_1-740x456-1.png)
На HotChips 33 компания Samsung объявила о разработке первого в отрасли модуля памяти DDR5 объемом 512 ГБ, работающего со скоростью вывода до 7,2 Гбит / с.
Samsung представляет безумно быстрые модули памяти DDR5-7200 с емкостью 512 ГБ, которые начнут массовое производство в конце этого года
Решение памяти DDR5, предложенное Samsung, превосходит DDR4 по следующим четырем аспектам: производительность, скорость, емкость и мощность. Как отмечает Samsung, существует постоянная потребность в увеличении емкости и производительности в сегменте центров обработки данных. С DDR5 DRAM Samsung выводит вещи на новый уровень.
![](https://cdn.wccftech.com/wp-content/uploads/2021/08/Samsung-DDR5-512-GB-7.2-Gbps-Memory-Modules-_-HotChips-33-_4-1030x579.png)
Компания Samsung разработала последнюю версию модулей памяти DDR5 для сегмента центров обработки данных, которая имеет емкость 512 ГБ. Это достигается за счет реализации конструкции DRAM с 8 стеками, в которой используется стек 8-Hi TSV (через кремниевые переходники). Высота стопки составляет 1,0 мм, а в модуле памяти всего 20 стопок, разделенных на два основных канала. Стеки DDR5 TSV также уменьшают зазор между матрицами на 40% за счет использования тонких пластин. Также реализованы ключевые технологии, такие как безошибочное соединение для TSV и улучшенная охлаждающая способность с меньшим сопротивлением воздушного потока.
Samsung также рекламирует самые быстрые скорости памяти: DDR5 достигает 7200 Мбит / с при напряжении 1,1 В. Общие улучшения включают в себя повышение производительности на 40%, увеличение скорости в 2,2 раза, увеличение объема памяти вдвое, и все это в 0,92 раза выше, чем у DDR4. По сравнению с DDR4, DDR5 обеспечивает на 18% более высокую эффективность шины. Более высокая эффективность достигается за счет PMIC (встроенное управление питанием). PMIC уменьшает потребность в работе с низким напряжением, и Samsung также использует процесс затвора High-K Metal, который является первым для DRAM EDP (Electronic Data Processing).
![](https://cdn.wccftech.com/wp-content/uploads/2021/08/Samsung-DDR5-512-GB-7.2-Gbps-Memory-Modules-_-HotChips-33-_6-1480x833.png)
Некоторые особенности памяти центра обработки данных также включают встроенный ECC, повышенную частоту ошибок по битам, что приводит к более надежной и безопасной обработке данных. Samsung заявляет, что не останавливается на 512 ГБ DDR5. Они также намекнули на модули памяти DDR5 с терабайтной емкостью для серверов следующего поколения и ожидают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 гг.