Samsung разрабатывает модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ со скоростью до 7,2 Гбит/с, массовое производство к концу 2021 года

На HotChips 33 компания Samsung объявила о разработке первого в отрасли модуля памяти DDR5 объемом 512 ГБ, работающего со скоростью вывода до 7,2 Гбит / с.

Samsung представляет безумно быстрые модули памяти DDR5-7200 с емкостью 512 ГБ, которые начнут массовое производство в конце этого года

Решение памяти DDR5, предложенное Samsung, превосходит DDR4 по следующим четырем аспектам: производительность, скорость, емкость и мощность. Как отмечает Samsung, существует постоянная потребность в увеличении емкости и производительности в сегменте центров обработки данных. С DDR5 DRAM Samsung выводит вещи на новый уровень.

Компания Samsung разработала последнюю версию модулей памяти DDR5 для сегмента центров обработки данных, которая имеет емкость 512 ГБ. Это достигается за счет реализации конструкции DRAM с 8 стеками, в которой используется стек 8-Hi TSV (через кремниевые переходники). Высота стопки составляет 1,0 мм, а в модуле памяти всего 20 стопок, разделенных на два основных канала. Стеки DDR5 TSV также уменьшают зазор между матрицами на 40% за счет использования тонких пластин. Также реализованы ключевые технологии, такие как безошибочное соединение для TSV и улучшенная охлаждающая способность с меньшим сопротивлением воздушного потока.

Samsung также рекламирует самые быстрые скорости памяти: DDR5 достигает 7200 Мбит / с при напряжении 1,1 В. Общие улучшения включают в себя повышение производительности на 40%, увеличение скорости в 2,2 раза, увеличение объема памяти вдвое, и все это в 0,92 раза выше, чем у DDR4. По сравнению с DDR4, DDR5 обеспечивает на 18% более высокую эффективность шины. Более высокая эффективность достигается за счет PMIC (встроенное управление питанием). PMIC уменьшает потребность в работе с низким напряжением, и Samsung также использует процесс затвора High-K Metal, который является первым для DRAM EDP (Electronic Data Processing).

Некоторые особенности памяти центра обработки данных также включают встроенный ECC, повышенную частоту ошибок по битам, что приводит к более надежной и безопасной обработке данных. Samsung заявляет, что не останавливается на 512 ГБ DDR5. Они также намекнули на модули памяти DDR5 с терабайтной емкостью для серверов следующего поколения и ожидают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 гг.